Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя

Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя — интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения. Данный термин употребляется в документе ГОСТ 27299-87, категория приборы полупроводниковые оптоэлектронные.